RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
68
374
Около 82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
0.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
1.0
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
374
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
0.8
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
1.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
269
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link