RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
68
374
Около 82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
0.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
1.0
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
374
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
0.8
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
1.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
269
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link