RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3712
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link