RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3414
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link