RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2699
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link