RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1810
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link