RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
66
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1810
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link