RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
50
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2424
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link