RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
89
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
89
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1518
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link