RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2656
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link