RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de 37% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
41
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2656
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link