RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1824
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link