RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2659
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link