RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2659
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link