RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2920
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link