RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2920
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link