RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2516
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link