RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2468
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link