RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2468
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link