RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
69
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1598
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link