RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2773
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link