RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3052
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link