RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3327
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link