RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3879
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link