RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
12.8
19.6
写入速度,GB/s
9.0
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3879
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Mushkin 991586 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link