RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3676
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link