RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2395
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link