RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3158
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link