RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2545
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link