RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2545
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link