RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3342
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link