RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3391
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM3X8GB1600C11N2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link