RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2895
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link