Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Gesamtnote
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gesamtnote
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Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Kingston KF3200C20S4/16G 16GB

Unterschiede

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 48
    Rund um 46% geringere Latenzzeit
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.8 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 10600
    Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 48
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 16.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 13.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 2895
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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