RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2362
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link