RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
40
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2362
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link