RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
14.2
Скорость записи, Гб/сек
10.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2104
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link