RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2362
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link