RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kllisre 0000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kllisre 0000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2220
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kllisre 0000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link