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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kllisre 0000 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kllisre 0000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 0000 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
49
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2220
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kllisre 0000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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