RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
49
En -81% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3061
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link