RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de -81% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3061
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link