RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2672
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link