RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony 72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
94
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1334
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link