RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
94
Autour de 72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
4.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
94
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
5.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
4.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1334
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston 99U5402-462.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link