Porównanie pamięci RAM Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Wynik ogólny

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 48

Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 8.3

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

17.5 12.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 10600

Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2143 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns