RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
48
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
48
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2196
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link