RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2434
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link