RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2259
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link