Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 54
    Wokół strony 52% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.8 left arrow 10.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    23400 left arrow 10600
    Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    26 left arrow 54
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.8 left arrow 10.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 8.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2143 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania