RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3230
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Jinyu 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link