RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1175
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link