RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1175
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link